Сотрудники ННГУ: Кудрявцев Константин Евгеньевич
Публикации
2022
Публикации в научных журналах
Gavrilenko V.I., Utochkin V.V., Kudryavtsev K.E., Dubinov A.A., Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Razova A.A., Andronov E.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Teppe F., Morozov S.V. Stimulated Emission up to 2.75 µm from HgCdTe/CdHgTe QW Structure at Room Temperature // Nanomaterials. V. 12. 2022. P. 2599.
2021
Публикации в научных журналах
Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Kalinnikov M.I., Krasilynikova L.V., Yunin P.A., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Novikov A.V., Krasilynik Z.F. Near-infrared stimulated emission from indium-rich InGaN layers grown by plasma-assisted MBE // Applied Physics Letters. № 118. V. 15. 2021. P. 151902.
2019
Труды (тезисы) конференции
Самарцев И.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Байдусь Н.В., Рыков А.
В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров В.Г., Чалков В.Ю. Фоточувствительная структура InGaAs на подложке Si/Ge (001) с градиентным метаморфным буферным слоем InGaAsP // Материалы XXIII Международного симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника»,. Н.Новгород: Издательство Нижегородского госуниверситета им. Н.И. Лобачевского, Т.2. 2019. 411 с. 2019. С. 821-822.
2018
Публикации в научных журналах
Baidus N.V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M., Yunin P.A., Yurasov D, Krasilnik Z.F. MOCVD Growth of InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures with Quantum Wells on Ge/Si Substrates // Crystals. № 8. V. 8. 2018. P. 311.
Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Вихрова О.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Юрасов Д.В. Стимулированное излучение на длине волны 1.3 μm в метаморфной структуре InGaAs/InGaAsP с квантовыми ямами, выращенной на подложке Ge/Si (001) // Письма в Журнал технической физики.
Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Vikhrova O.V., Dubinov A.A., Krasilnik Z.F., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Yurasov D.V. Stimulated Emission at 1.3-μm Wavelength in Metamorphic InGaAs/InGaAsP Structure with Quantum Wells Grown on Ge/Si(001) Substrate // Technical Physics Letters. № 44. V. 8. 2018. P. 735-738.
Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Юнин П.А. Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 52. Т. 12. 2018. С. 1443-1446.
№ 52. V. 12. 2018. P. 1547–1550.Fadeev M.A., Rumyantsev V.V., Kadykov A.M., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kudryavtsev K.E., Dvoretskii S.A., Mikhailov N.N., Gavrilenko V.I., Morozov S.V. Stimulated emission in the 2.8 — 3.5 um wavelength range from Peltier cooled HgTe/CdHgTe quantum well heterostructures // Optics Express. V. 26. 2018. P. 12755-12760.
2017
Труды (тезисы) конференции
Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Фефелов А.Г., Красильник З.Ф., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Самарцев И.В., Скороходов Е.В., Шалеев М.В., Сушков А.А., Яблонский А.Н., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Лазерные диоды InGaAs/GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии на Ge/Si(001) подложках // Нанофизика и наноэлектроника. Материалы XXI международного симпозиума. Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г. Издательство ННГУ им. Н.И. Лобачевского, т. 2. 2017. С. 491-492.
Публикации в научных журналах
Baidus N.
V., Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Rykov A.V., Sushkov A.A., Shaleev M.V., Yunin P.A., Yurasov D.V., Yablonskiy A.N., Krasilnik Z.F. Peculiarities of Growing InGaAs/GaAs/AlGaAs Laser Structures by MOCVD on Ge/Si Substrates / N.V. Baidus, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, K.E. Kudryavtsev, S.M. Nekorkin, A.V. Novikov, D.A. Pavlov, A.V. Rykov, A.A. Sushkov, M.V. Shaleev, P.A. Yunin, D.V. Yurasov, A.N. Yablonskiy, Z.F. Krasilnik // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1527-1530.
Aleshkin V.Ya., Baidus N.V., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Rykov A.V., Samartsev I.V., Fefelov A.G., Yurasov D.V., Krasilnik Z.F. Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate // Semiconductors. № 11. V. 51. 2017. P. 1477-1480.
Байдусь Н.В., Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Павлов Д.А., Рыков А.В., Сушков А.А., Шалеев М.
В., Юнин П.А., Юрасов Д.В., Яблонский А.Н., Красильник З.Ф. Особенности выращивания лазерных структур InGaAs/GaAs/AlGaAs методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках Ge/Si // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1579-1582.
Алешкин В.Я., Байдусь Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Рыков А.В., Самарцев И.В., Фефелов А.Г., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Технология изготовления лазерных диодов из структур GaAs/InGaAs/AlGaAs, выращенных на Ge/Si подложке // Физика и техника полупроводников. № 11. Т. 51. 2017. С. 1530-1533.
2016
Публикации в научных журналах
Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Юнин П.А., Дроздов М.Н., Вихрова О.В., Некоркин С.М., Звонков Б.Н. Стимулированное излучение из объемного метаморфного слоя GaAsSb на GaAs-подложке // Физика и техника полупроводников. Т. 50. 2016. С. 596-599.
Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Kadykov A. M., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Antonov A.
V., Mikhailov N. N., Dvoretskii S. A., Gavrilenko V.I. Long wavelength stimulated emission up to 9.5 m from HgCdTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 108. 2016. P. 092104-1-092104-5.
Aleshkin V.Ya., Baidusy N.V., Dubinov A.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Pavlov D.A., Samartsev I.V., Skorokhodov E.V., Shaleev M.V., Sushkov A.A., Yablonskii A.N., Yunin P.A., Yurasov D.V. Monolithically integrated InGaAs/GaAs/AlGaAs quantum well laser grownby MOCVD on exact Ge/Si(001) substrate // Appl. Phys. Lett.. № 061111. V. 109. 2016. P. 1-5.
2015
Труды (тезисы) конференции
Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Дикарева Н.В., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф. Стимулированное излучение в InGaP/GaAs/InGaAs структуре на Ge/Si подложке // XII Российская конференция по физике полупроводников. Ершово, Московская обл., Россия, 21-25 сентября 2015 г.
Публикации в научных журналах
Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Dubinov A.A., Antonov A.V., Kadykov A.M., Kudryavtsev K.E., Kuritsyn D.I., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Long wavelength superluminescence from narrow gap HgCdTe epilayer at 100 K // Applied Physics Letters. V. 107. 2015. P. 042105-1-042105-4.
Алешкин В.Я., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Некоркин С.М., Новиков А.В., Юнин П.А., Юрасов Д.В. Волноводный эффект квантовых ям InGaAs в структуре GaAs на подложке Si с буферным слоем Ge // Письма в ЖТФ. Т. 41. 2015. С. 72-78.
Шмагин В.Б., Кудрявцев К.Е., Новиков А.В., Шенгуров Д.В., Юрасов Д.В., Красильник З.Ф. Применение техники годографа к диагностике диодных структур // Физика и техника полупроводников. Т. 49. 2015. С. 1492-1496.
Козлов Д.В., Морозов С.В., Румянцев В.В., Тузов И.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И. Влияние прямого захвата дырок с испусканием оптических фононов на релаксацию примесной фотопроводимости в p -Si : B // Физика и техника полупроводников.
Kozlov D.V., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Tuzov I.V., Kudryavtsev K.E., Gavrilenko V.I. Effect of the Direct Capture of Holes with the Emission of Optical Phonons on ImpurityPhotoconductivity Relaxation in p-Si:B // Semiconductors. № 2. V. 49. 2015. P. 187-190.
Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M., Novikov A.V., Yunin P.A., Yurasov D.V. The waveguide effect of InGaAs quantum wells in a GaAs structure on Si substrate with Ge buffer layer // Technical Physics Letters. № 7. V. 47. 2015. P. 648-650.
Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP Letters. № 12. V. 100. 2015. P. 795-797.
Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Zvonkov B.N., Kudryavtsev K.E., Nekorkin S.M. An observation of direct-gap electroluminescence in GaAs structures with Ge quantum wells // Semiconductors.
№ 2. V. 49. 2015. P. 170-173.
2014
Труды (тезисы) конференции
Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Красильник З.Ф. Активные волноводные структуры Si:Er/SOI с рекомбинационным и ударным механизмами возбуждения люминесценции // Труды XVIII Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 501-502.
Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.И., Красильникова Л.В., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение оптического поглощения ионов Er3+ в кремнии // Труды XVIII Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Нижний Новгород, 10-14 марта, 2014, Т.2, 2 стр.. 2014. С. 515-516.
Публикации в научных журналах
Aleshkin V.Ya., Dubinov A.A., Kudryavtsev K.E., Rumyantsev V.V., Tonkikh A.A., Zakharov N.D., Zvonkov B.N. 1.3 \mu m Photoluminescence of Ge/GaAs multi-quantum-well structure // Journal of Applied Physics. № 4.
V. 115. 2014. P. 043512-1 -043512-4.
Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Efficient long wavelength interband photoluminescence from HgCdTe epitaxial films at wavelengths up to 26μm // Applied Physics Letters. V. 104. 2014. P. 072102.
Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Antonov A.V., Kadykov A.M., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A., Gavrilenko V.I. Time resolved photoluminescence spectroscopy of narrow gap Hg1-xCdxTe/CdyHg1-yTe quantum well heterostructures // Applied Physics Letters. V. 105. 2014. P. 022102.
Aleshkin V.Ya., Dikareva N.V., Dubinov A.A., Denisov S.A., Krasilynik Z.F., Kudryavtsev K.E., Matveev S.A., Nekorkin S.M., Shengurov V.G. Stimulated Emission from an InGaAs/GaAs/AlGaAs Heterostructure Grown on a Si Substrate // JETP LETTERS. № 12. V. 100. 2014. P. 795-797.
Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Крыжков Д.
И., Шенгуров Д.В., Шмагин В.Б., Андреев Б.А., Красильник З.Ф. Сечение поглощения для перехода 4I15/2→4I13/2 ионов Er3+ в эпитаксиальных слоях Si:Er:O/SOI // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. № 12. Т. 100. 2014. С. 913-918.
2013
Труды (тезисы) конференции
Некоркин С.М., Звонков Б.Н., Карзанова М.В., Вихрова О.В., Дикарева Н.В., Бирюков А.А., Шенгуров В.Г., Денисов С.А., Матвеев С.А., Дубинов А.А., Алешкин В.Я., Кудрявцев К.Е. Лазерная структура GaAs/AlGaAs на подложке Ge/Si // Сборник статей 9-го Белорусско-Российского семинара «Полупроводниковые лазеры и системы на их основе» 28-31 мая 2013. 4 стр.. 2013. С. 25-28.
Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. THz Response of HgTe/CdTe Quantum Wells and Narrow-Gap HgCdTe Films: from Fundamentals to Applications // Abstract the International Conference on Coherent and Nonlinear Optics (ICONO) and The Lasers, Applications, and Technologies (LAT) ICONO/LAT, Moscow, 18-22 June, 2013.
Moscow. 2013. P. JDB2.
Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Излучательные свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Тезисы докладов XI Российской конференции по физике полупроводников, Санкт-Петербург, 16 – 20 сентября, 2013 г.. ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург. 2013. С. 366.
Гавриленко В.И., Румянцев В.В., Жолудев М.С., Антонов А.В., Кудрявцев К.Е., Красильникова Л.В., Иконников А.В., Дубинов А.А., Морозов С.В., Алешкин В.Я., Михайлов Н.Н., Дворецкий С.А. Генерация и детектирование ТГц-излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgTe/CdTe и эпитаксиальных слоях CdHgTe // Тезисы докладов IX Всероссийского семинара по радиофизике миллиметровых и субмиллиметровых волн, 26 февраля – 1 марта, 2013. ИПФ РАН, Нижний Новгород. 2013. С. 23-24.
Андреев Б.А., Красильник З.Ф., Красильникова Л.В., Кудрявцев К.Е., Шенгуров Д.В., Яблонский А.Н. Оптические свойства волноводных структур Si:Er/SOI // Труды XVII Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника».
Нижний Новгород, 11-15 марта, 2013. Т.2, 2 стр. 2013. С. 477-478.
Gavrilenko V.I., Morozov S.V., Rumyantsev V.V., Zholudev M.S., Antonov A.V., Dubinov A.A., Maremyyanin K.V., Kudryavtsev K.E., Krasilynikova L.V., Aleshkin V.Ya., Mikhailov N.N., Dvoretskii S.A. Optical study of HgCdTe based narrow-gap heterostructures // Proc. 21st Int. Symp. “Nanostructures: Physics and Technology. June 24-28, 2013. St. Petersburg. 2013. P. 252-253.
Публикации в научных журналах
Алешкин В.Я., Дубинов А.А., Дроздов М.Н., Звонков Б.Н., Кудрявцев К.Е., Тонких А.А., Яблонский А.Н., Werner P. Структурные и оптические свойства гетероструктур на основе GaAs с квантовыми ямами Ge и Ge/InGaAs. // Физика и техника полупроводников. № 5. Т. 47. 2013. С. 621-625.
Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Дикарева Н.В., Дубинов А.А., Кудрявцев К.Е., Морозов С.В., Некоркин С.М. Волноводный эффект квантовых ям GaAsSb в лазерной
структуре на основе GaAs // Физика и техника полупроводников.
№ 11. Т. 47. 2013. С. 1486-1488.
2012
Публикации в научных журналах
Румянцев В.В., Морозов С.В., Кудрявцев К.Е., Гавриленко В.И., Козлов Д.В. Особенности релаксации примесной фотопроводимости в кремнии, легированном бором // Физика и техника полупроводников. Т. 46. 2012. С. 1414-1418.
2011
Труды (тезисы) конференции
Шенгуров Д.В., Степихова М.В., Дроздов Ю.Н., Шалеев М.В., Кудрявцев К.Е., Красильник З.Ф., Шенгуров В.Г., Наумова О.В. Особенности предростовой подготовки и эпитаксиальный рост волноводных светоизлучающих структур SOI/Si:Er для лазерных применений // Труды XV Международного Симпозиума «Нанофизика и наноэлектроника». Н. Новгород, 14–18 марта, 2011. – Т.2. – C.448 — 449. 2011. С. 448-449.
Публикации в научных журналах
Krasilynik Z.F., Novikov A.V., Lobanov D.N., Kudryavtsev K.E., Antonov A.V., Obolenskii S.V., Zakharov N.D., Werner P.
SiGe nanostructures with self-assembled islands for Si-based optoelectronics // Semiconductor Science and Technology. V. 26. 2011. P. 014209.
Кудрявцев Константин Викторович — пользователь, сотрудник
кандидат химических наук с 1996 года
доктор химических наук с 2017 года
Прежние места работы (Нажмите для отображения)
Соавторы: Иванцова П.М., Зефиров Н.С., Соколов М.Н., Шульга Д.А., Берберова Н.Т., Осипова В.П., Чураков А.В., Вацадзе С.З., Chupakhin V.I., Churakov A.V., Остапченко Л.И., Польшаков В.И., Фалалеева Т.М. показать полностью…, Beregova T.V., Chia-Chun Y., Dogan O., Falalyeyeva T.M., Jih-Hwa G., Ostapchenko L.I., Samoshin V.V., Гадилия Е.П., Гудырев О.С., Заболотнев Д.В., Кирсанова А.
А.,
Корокин М.В.,
Манцызов А.Б.,
Markevich A.O.,
Virchenko O.V.,
Андреева Ю.А.,
Антонова Н.А.,
Вирченко А.В.,
Корокина Л.В.,
Маркевич А.А.,
Милаева Е.Р.,
Пименов Ю.Т.,
Самошин В.В.,
Свешникова Е.Д.,
Федотчева Н.И.,
Bräse S.,
Datsuk N.G.,
Guh J.H.,
Jui-Ling H.,
Nukolova N.V.,
Shih-Ping L.,
Stefan B.,
Tsentalovich M.Y.,
Антонова Н.А.,
Васин В.А.,
Коляда М.Н.,
Петров П.С.,
Поветкин С.В.,
Покровская Т.Г.,
Покровский М.В.,
Половинкина М.А.,
Смолин Е.С.,
Федотчева Т.А.,
Чупахин В.И.,
Шеина Н.И.,
Шимановский Н.Л.,
Ayan S.,
Bentley M.L.,
Borisova A.O.,
Chulakov E.N.,
Claudia M.,
Fedotcheva T.A.,
Gruzdev D.A.,
Haojie Y.
,
Howard J.A.,
Hsu J.T.,
Kokoreva O.V.,
Kolychev E.L.,
Krasnov V.P.,
Kucherenko M.I.,
Levit G.L.,
Lih-Ching H.,
Lonina N.N.,
Luy B.,
Maryana S.Y.,
McCafferty D.G.,
Mei-Ling C.,
Muhle-Goll C.,
Poddel’skii A.I.,
Savel’ev O.Y.,
She-Hung C.,
Shimanovskii N.L.,
Strotskaya E.A.,
VASIN V.A.,
Varpetyan E.E.,
Vatsadze I.A.,
Wang S.,
Wiedmann S.,
Wohn-Jenn L.,
Yegorov A.S.,
Zagulyaeva A.A.,
Арутюнян А.М.,
Атауллаханов Ф.И.,
Берберова Н.Т.,
Береговая Т.В.,
Богун Л.,
Газзаева Р.А.,
Голубев И.В.,
Гуреев В.,
Дюба А.В.,
Ирха В.В.,
Калязин В.А.,
Логинова Ю.Д.,
Маркевич А.,
Орлова С.И.,
Осипова В.П.,
Семашко В.С.,
Синауридзе Е.
И.,
Трофимова Е.В.,
Федотчев Н.И.,
Харченко О.,
Ярцева И.В.64 статьи, 1 книга, 36 докладов на конференциях, 54 тезисов докладов, 13 НИР, 8 патентов, 2 награды, 3 членства в редколлегиях сборников, 7 членств в программных комитетах, 3 диссертации, 20 дипломных работ, 12 курсовых работ, 3 учебных курса
Количество цитирований статей в журналах по данным Web of Science: 267, Scopus: 314
IstinaResearcherID (IRID): 1675030
ResearcherID: B-6613-2012
Scopus Author ID: 56594749700
ORCID: 0000-0002-6363-5842
Кто такой Константин Кудрявцев? | The Sun
В августе 2020 года лидер российской оппозиции Алексей Навальный отравился нервно-паралитическим веществом «новичок» и был госпитализирован.
Позже было установлено, что нападение, вероятно, было совершено сотрудниками ФСБ.
Но кем был Константин Кудрявцев и как он был замешан?
1
Кремлевский критик Алексей Навальный тяжело заболел в результате атаки с применением нервно-паралитического вещества, но выжилКредит: ReutersКто такой Константин Кудрявцев?
Кудрявцев — шпион ФСБ, которого обманули, чтобы, по-видимому, раскрыть, как был отравлен критик Путина Алексей Навальный.
Кудрявцев был выпускником Военной биолого-химической академии, а позже, по данным Bellingcat, работал в 42-м (защита от биологического оружия) институте Министерства обороны.
Что случилось с Константином Кудрявцевым?
Рассказ Кудрявцева, сделанный во время 49-минутного телефонного разговора, дал шокирующую информацию о том, как было совершено нападение на лидера оппозиции.
Агент не знал, что высшим должностным лицом ФСБ, с которым, как он думал, он разговаривал, на самом деле был сам Навальный.
ПОДРОБНЕЕ О НАВАЛЬНОМ
Выдавая себя за «Устинова Максима Сергеевича», Навальный допрашивал Кудрявцева, почему заговор с его отравлением закончился провалом.
Кудрявцев подробно рассказал, как «новичок» попал на трусы Навального, когда он был вне своего гостиничного номера.
Советское нервно-паралитическое вещество было использовано для отравления двойного агента Сергея Скрипаля и его дочери Юлии в Солсбери 3 марта 2018 года.
Кудрявцев предположил, что если бы самолет не направили в Омск, где жизнь Навального спасли медики, «результат был бы другой».
Он сказал, что если бы самолет «полетел немного дольше, и они не приземлились бы как-то резко и так далее, может быть, все пошло бы по-другому. Раскрыт состав I’m A Celebrity 20220009 OH MAMA
Я мама 11 детей от восьми отцов, люди шокированы моей жизнью, но мне все равно
ГОРЯЧАЯ ИДЕЯМама хвастается дешевой покупкой B&M, которая помогает ей сушить белье без сушильной машины
«То есть, если бы не оперативная работа медиков, фельдшеров на взлетно-посадочной полосе и так далее».
Он сказал, что ездил в сибирский город Омск через пять дней после отравления, чтобы попытаться снять улики с одежды Навального.
Где сейчас Константин Кудрявцев?
После раскрытия телефонного звонка в декабре 2020 года Кудрявцев исчез, и с тех пор его никто не видел.
Соратница Навального Любовь Соболь была признана виновной в вторжении на территорию Кудрявцева после разоблачения и приговорена к одному году общественных работ условно.
Подробнее на The Sun
Она отрицала посягательство и сказала, что надеется постучать в его дверь и просто хотела взять интервью у Кудрявцева.
Сообщается, что она была в числе группы, посетившей дом агента ФСБ после того, как была раскрыта его роль в заговоре.
Алексей Навальный одурачил российского шпиона, заставив его раскрыть, как его отравили
Смотрите Клариссу Уорд и последние откровения об отравлении Навального и его последствиях на Андерсон Купер 360˚ сегодня вечером на CNN в 8 ET.
Москва Си-Эн-Эн —
Российский агент, посланный следить за лидером оппозиции Алексеем Навальным, рассказал, как его отравили в августе — смертельным нервно-паралитическим веществом «Новичок», подброшенным ему в трусы.
Ошеломляющее разоблачение от агента, входившего в элитную группу токсинов в ФСБ России, произошло в ходе продолжительного телефонного разговора после того, как на прошлой неделе CNN и группа онлайн-расследований Bellingcat разоблачили это подразделение.
В том, что ему сказали, был разбор полетов, Константин Кудрявцев также рассказал о других, причастных к отравлению в сибирском городе Томске, и о том, как его послали разобраться.
Константин Кудрявцев сообщил, что ездил в Омск в Сибири, чтобы попытаться очистить улики после отравления Алексея Навального.
От BellingcatНо агент разговаривал не с чиновником в Совете национальной безопасности России, как он думал. Он разговаривал с самим Навальным, который чуть не умер после отравления в августе.
Навальный долгое время был занозой в боку президента Владимира Путина, разоблачая коррупцию в высших эшелонах власти и проводя кампании против правящей партии «Единая Россия».
Путин фактически подтвердил на прошлой неделе, что агенты ФСБ следили за Навальным, но сказал, что если бы Россия хотела его смерти, «они, вероятно, покончили бы с этим».
Олег Таякин открыл дверь CNN, но закрыл ее, как только его спросили о его роли в слежке за Навальным.
Си-Эн-ЭнРасследование Bellingcat и CNN показало, что команда ФСБ по токсинам из шести-десяти агентов выслеживала Навального более трех лет. Опознав большую часть команды, CNN и Bellingcat попытались связаться с ними и их начальством.
Один человек, Олег Таякин, захлопнул дверь на допросе CNN. Другие не ответили.
При этом Навальный тоже звонил.
Для начала он сообщил агентам, кто он такой, и те, с кем он связался, тут же сбросили вызов. Для последнего звонка Кудрявцеву его команда выбрала другой подход: спецоперацию.
Навальный, который все еще выздоравливает в секретном месте в Германии, представился высокопоставленным чиновником Совета национальной безопасности России, которому поручено провести анализ операции по отравлению. Его номер телефона был замаскирован под номер штаб-квартиры ФСБ, согласно данным команды Навального и записи разговора, позже предоставленной CNN и Bellingcat.
После того, как Кудрявцев подтвердил свою личность, Навальный сказал, что ему было поручено получить «краткое понимание от членов команды: что пошло не так, почему в Томске с Навальным случился полный провал?»
cms.cnn.com/_components/paragraph/instances/paragraph_16485630-68A9-DD9F-2259-821DFF4956DD@published» data-editable=»text» data-component-name=»paragraph»>
Ответы Кудрявцева на 45-минутном звонке являются первыми прямыми доказательствами причастности подразделения к отравлению Навального.Временами он явно опасается разговоров по незащищенной линии, но Навальный, говоря порой резко и настойчиво, убеждает его, что высокопоставленные лица требуют немедленного отчета, и говорит, что «все это будет обсуждаться на Совете безопасности высочайший уровень».
Алексей Навальный, говоря резко и настойчиво, убедил Кудрявцева, что он чиновник, проверяющий операцию.
Кристиан Стрейб/CNN ФСБ в понедельник выступила с заявлением, в котором утверждает, что видеозапись разговора Навального с Кудрявцевым, размещенная оппозиционером на его канале в YouTube, является «фейком» при содействии иностранных спецслужб.
«Так называемое расследование о якобы предпринятых в отношении него действиях [которое] опубликовал в сети [Алексей] Навальный — это спланированная провокация, направленная на дискредитацию ФСБ России и сотрудников ФСБ, которая была бы невозможна без организационно-техническое обеспечение иностранных спецслужб», — говорится в сообщении, сообщает государственное информационное агентство ТАСС.
ФСБ начала «проверку» расследования в отношении Навального и по ее результатам даст «процессуальную оценку», говорится в сообщении.
Наиболее драматично Кудрявцев представил подробный отчет о том, как нервно-паралитическое вещество было нанесено на пару трусов Навального.
Навальный спросил: «На какой предмет одежды был сделан акцент? Какой самый опасный предмет одежды?»
Кудрявцев ответил просто: «Трусы».
Затем Навальный спросил, куда именно был нанесен «Новичок» — во внутренние или внешние швы.
— Внутренности, промежность, — ответил Кудрявцев.
Алексей Навальный разговаривал с CNN в секретном месте в Германии, но говорит, что вернется в Россию.
Кристиан Стрейб/CNNРасследование CNN и Bellingcat выявило российских специалистов, которые выслеживали заклятого врага Путина Алексея Навального до того, как он был отравлен
Токсикологи, опрошенные CNN, говорят, что если нанести гранулированный препарат на одежду, «Новичок» впитается через кожу, когда жертва начнет потеть.
Они говорят, что в этом случае, похоже, нападавшие использовали твердую форму нервно-паралитического вещества, а не жидкость или гель, как ранее было обнаружено при нападении на бывшего двойного агента Сергея Скрипаля в Соединенном Королевстве.
В расследовании, проведенном Bellingcat и CNN, использовались тысячи записей телефонных разговоров, а также полетные манифесты и другие документы, полученные Bellingcat для отслеживания команды экспертов по токсинам. Установлено, что в ту ночь, когда «Новичок» каким-то образом попал в гостиничный номер Навального, в нескольких сотнях метров от отеля раздался сигнал с мобильного телефона, принадлежащего одному из группы токсинов Алексею Александрову.
Кудрявцев признал, что знал Александрова, и похвалил его работу.
CNN не может подтвердить, что Кудрявцев также находился в Томске, когда был применен яд. Но звонок показал, что он был хорошо осведомлен о том, что было сделано, и что он участвовал в операции по зачистке, чтобы убедиться, что после выписки Навального из больницы не осталось следов «Новичка».
Навальному оказали помощь медики в течение нескольких минут после незапланированной посадки в Омске.
БАЗАНавальному внезапно стало плохо во время полета домой в Москву, и пилот направился в Омск, где парамедики оказали ему спасательную неотложную помощь.
Если бы самолет прилетел в Москву, Навальный почти наверняка погиб бы, считают эксперты по токсикологии, с которыми консультировался CNN.
«[Мы] не ожидали, что все это произойдет. Я уверен, что все пошло не так», — добавил Кудрявцев, предполагая, что целью ФСБ было убить Навального, как говорят многие токсикологи, знакомые с «Новичком».
На вопрос о том, могла ли быть введена неправильная доза яда, Кудрявцев возразил: «Я так понимаю, мы добавили немного больше».
Судя по биографии Кудрявцева, он специалист по химическому и биологическому оружию. Окончил Московский филиал Российской академии химической защиты. Bellingcat установил, что позднее он работал в 42-м центре Минобороны — его научно-исследовательском центре биологической безопасности.
Расследование Bellingcat и CNN, в котором также участвовали немецкий журнал Der Spiegel и российское интернет-издание The Insider, уже установило с помощью полетных листов, что Кудрявцев вылетел в Омск 25 августа, через пять дней после отравления.
Путин отвечает на расследование CNN, не отрицает слежку за Навальным
03:36 — Источник: CNN
— Значит, сюрпризов с одеждой не будет? — спросил Навальный.
«Поэтому мы и ездили туда несколько раз», — ответил Кудрявцев.
Навальный и его команда несколько раз требовали вернуть ему одежду, но российские власти отказывались.
Позже Кудрявцев рассказывает: «Мне сказали работать именно с трусами, с внутренней стороны».
Навальный спросил: «Кто это сказал? Макшаков?
— Ага, — ответил Кудрявцев.
Станислав Макшаков — ученый, фигурирующий в расследовании как руководитель группы токсинов, базирующейся в Криминалистическом управлении ФСБ на окраине Москвы. Ранее он работал полковником в Шиханском институте, советском, а затем и российском научно-исследовательском институте химического оружия.
Расследование, опубликованное на прошлой неделе, установило подробности связи и поездок группы токсинов, которые показали, что они следили за Навальным в более чем 30 поездках за пределы Москвы с 2017 года. Данные также выявили контакты высокого уровня между подразделением токсинов и лабораториями в России, специализирующимися на исследованиях. нервно-паралитические агенты.
Пресс-секретарь Кремля Дмитрий Песков наблюдает за выступлением президента России Владимира Путина на пресс-конференции. Оба обвинили западные спецслужбы в связях с Навальным.
Александр Земляниченко/AP Путин и другие российские официальные лица отвергли расследование Bellingcat и CNN как часть кампании, организованной западными спецслужбами. В пятницу Путин заявил, что это своего рода «информационная война», охарактеризовав расследование как «свалку, куда все сваливают, сбрасывают, сбрасывают в надежде, что это произведет впечатление на граждан, вызовет недоверие к политическому руководству».
Пресс-секретарь Кремля Дмитрий Песков признал операцию по наблюдению за Навальным из-за, как он выразился, «растущих «ушей» иностранных спецслужб».
В понедельник Навальный заявил CNN, что не верит, что новые разоблачения приведут к расследованию в России. «Стало настолько очевидно, что за этим стоит лично Путин», — сказал он.
Навальный, здесь, на демонстрации в Москве в 2019 году, был очень осторожен в своих поездках, сказал Кудрявцев.
Юрий Кадобнов/AFP через Getty ImagesВ почти сюрреалистический момент во время разговора Навальный посочувствовал Кудрявцеву, что тот выжил.
Он продолжил: «Вы столько ездили с Навальным — в Киров в 2017 году — как вы оцениваете его личность?»
Затем его спросили, мог ли Навальный узнать кого-нибудь из группы токсинов.
«Это маловероятно, мы очень строго относимся к этому, переодеваемся и все такое», — сказал он, добавив, что команда летела разными рейсами, следуя за Навальным по России.
Кудрявцев, кажется, гордился мерами безопасности команды.