Александра калашникова: Калашникова Александра Михайловна

Содержание

Александра Калашникова. Iron Logic | RUБЕЖ

Непростой год — таково единодушное мнение компаний по итогам 2020-го. Планы рухнули, прогнозы не сбылись, и рынки существовали в условиях критической неопределенности. Тем не менее, именно в этих обстоятельствах компании открыли для себя окна возможностей. И, как ни странно, большинство топ-менеджеров сферы безопасности сошлись во мнении, что «испытания ковидом» стали драйвером развития бизнесов. При этом компании по-прежнему сохраняют привычку давать прогнозы на будущее — что и сделали в рамках опроса журнала RUБЕЖ.

О том, каким оказался 2020 год для компании Iron Logic, о технологических трендах и прогнозах на 2021 год журналу RUБЕЖ рассказала руководитель отдела разработки предприятия Александра Калашникова.

2020 год можно охарактеризовать одним словом – «непредсказуемый». Вынужденные весенние каникулы сильно повлияли на объемы продаж, фактически один квартал был потерян для компании. К обычным цифрам проданной продукции мы вернулись только в июне. 

Тем не менее в 2020-ом компания Iron Logic выпустила новый считыватель с NFC, который обеспечивает не только проход, но и конфигурацию с помощью смартфона. Также в линейке появился GSM-считыватель с доступом по звонку или через SMS.
В качестве поддержки клиентов на протяжении всего года мы не повышали цены и совместно с Совкомбанком запустили программу по льготному кредитованию (от 1% годовых). Льготное кредитование можно получить в рамках Постановления Правительства РФ от 5 декабря 2019 г. № 1598 «Об утверждении Правил предоставления из федерального бюджета субсидий в рамках поддержки проектов по преобразованию приоритетных отраслей экономики и социальной сферы на основе внедрения отечественных продуктов, сервисов и платформенных решений, созданных на базе «сквозных» цифровых технологий, с применением льготного кредитования». 
По объемам продаж предполагаем схожесть 2021 года с 2020-ым.

ФСИН передают в руки Александра Калашникова – Коммерсантъ FM – Коммерсантъ

Федеральную службу исполнения наказаний возглавил выходец из ФСБ.

Новый директор ведомства — 55-летний генерал-лейтенант Александр Калашников. Он переехал на работу в Москву из Красноярского края, где руководил управлением ФСБ и отметился несколькими резонансными делами. “Ъ FM” обсудил назначение с правозащитниками. Их ожидания от нового директора ФСИН — в материале Ивана Якунина.

Александр Калашников — чекист со стажем. Когда работал в республике Коми, там по подозрению во взятке и организации преступного сообщества был задержан губернатор Вячеслав Гайзер и несколько его ближайших подчиненных. Когда перебрался в Красноярск, обвинения были предъявлены советнику главы региона и заместителю директора краевого отделения Пенсионного фонда — оба дела связаны с незаконным обогащением.

В спецслужбах Калашников работал еще с советских времен, и его опыт борьбы с коррупцией поможет решить многие проблемы во ФСИН, говорит заместитель председателя Общественной наблюдательной комиссии Ева Меркачева: «Он, конечно, как следователь — большой профессионал. И если говорить про борьбу с коррупцией, то, наверное, лучше него в системе ФСИН справиться не сможет никто. Было много скандалов коррупционных. Вынесен приговор заместителю директора ФСИН Олегу Коршунову. И я так поняла, что как раз Калашников должен навести в этом смысле порядок. В свое время он прославился тем, что инициировал арест бывшего начальника УФСИН по Республике Коми Александра Протопопова, причем произошло это в тот самый момент, когда последний уже переехал в Москву. Он ждал повышения, без пяти минут его должны были назначить замдиректора ФСИН всей страны. Как раз в его задержании огромную роль сыграл Калашников».

Но за последний год СМИ писали о тюремном ведомстве не только из-за коррупционных скандалов, но и после жалоб заключенных на пытки. Самое громкое дело связано с ярославской колонией №1. Когда «Новая газета» опубликовала видео с издевательствами над заключенными, Следственный комитет завел уголовное дело о превышении должностных полномочий, суд арестовал 12 фигурантов, а начальника по воспитательной части колонии отправили под домашний арест. Как писала Меркачева, когда Калашников работал в Красноярске, именно там было больше всего жалоб на пытки в тюрьмах. Помимо этого, региональные СМИ сообщали, что Александр Калашников нелестно отзывался о правозащитниках на одном из закрытых заседаний. В частности, организации «Голос» и «Мемориал» якобы называл экстремистскими, упрекая в попытках изменить политический строй в России.

Наконец, если новый директор нужен, чтобы бороться с коррупцией, почему не найти подходящую кандидатуру в Следственном комитете? Зачем брать выходца именно из ФСБ? Это давняя практика, поясняет исполнительный директор фонда «Русь сидящая» Ольга Романова: «Юрий Калинин, очень давний директор ФСИН, был, наверное, последним человеком, кто более или менее был как-то профессионально связан с пенитенциарной системой. Сейчас он возглавляет отдел кадров “Роснефти”, но в свое время он тоже был не чужд спецслужбам. После него был Александр Реймер, выходец из МВД, а дальше все время были выходцы из ФСБ: Геннадий Корниенко, сейчас — Александр Калашников. Тут, в общем-то, ничего удивительного.

Это означает, что ни о каком исправлении преступников в местах лишения свободы речь как не шла, так и не идет.

Их будут вербовать, проводить среди них оперативную работу, следственные действия и так далее, но не исправлять. Закручивать гайки некуда, поэтому пусть закручивают дальше — резьбу сорвет не у нас».

Гипотезу о том, что ФСИН теперь станет еще более закрытым учреждением, объясняют еще и тем, что у Александра Калашникова есть опыт работы в контрразведке. Тем не менее, в ОНК “Ъ FM” сообщили, что намерены вскоре встретиться с новым директором ФСИН и обсудить перспективы сотрудничества. Если он, конечно, согласится.

Предыдущий глава ФСИН Геннадий Корниенко, возглавлявший тюремное ведомство семь лет, покинул пост из-за достижения предельного возраста — 65 лет. Впрочем, юристы отмечают, что этот срок можно было и продлить, как это делали, например, с главой Следственного комитета Александром Бастрыкиным или генеральным прокурором Юрием Чайкой.

Как забирали в армию футболиста "Спартака" Александра Калашникова, биография - 1 мая 2021

Продолжаем вспоминать, как советские футболисты сталкивались с армией. Ранее мы рассказывали о дерзком побеге Алексея Прудникова из военкомата.

Теперь же вспомним о приключениях его одноклубника Александра Калашникова. В отличие от вратаря, нападающий не смог откосить от службы. Форвард провел неудачный матч в Испании и спокойно вернулся домой, а спустя несколько дней встретил непрошенных гостей, которые повезли его в военкомат.

В Испании Калашников с трех метров не попал по воротам. Когда он вернулся в Москву, к нему нагрянул патруль

Вечером 8 декабря 1982 года «Спартак» пережил одно из самых обидных поражений в истории. Перед ответным матчем 1/8 финала Кубка УЕФА против «Валенсии» в Испании московский клуб считался фаворитом. Однако в итоге «летучие мыши» хлопнули спартаковцев 2:0 — гости превосходили хозяев по качеству игры, но свои моменты реализовывать не смогли, поэтому в четвертьфинал вышли испанцы.

Разумеется, в тот вечер у советской команды было паршивое настроение. Спартаковцы заперлись в гостиничном номере и стали заливать горе алкоголем.

«Собрались мы в номере, на душе плохо. Сидим, заливаем горе. Я тогда впервые большой стакан выпил. И тут раздается стук в дверь. Заходит Константин Иванович [Бесков]. «Сидите?». «Сидим». «Пьете?». «Пьем». И тут Олег Иваныч [Романцев] берет большой стакан и наливает туда лимонной водки. «Извините, Константин Иванович. Всякое бывает. Выпьете с нами?» Выпил. «Эх, — говорит. — Пацаны-пацаны… С какими же лицами мы домой полетим…». Махнул рукой — и ушел», — вспоминал Александр Калашников, участвовавший в той игре.

Для самого нападающего тот вечер оказался вдвойне неудачным. Мало того, что команда проиграла, да еще сам Калашников сыграл на редкость ужасно. Форвард загубил минимум три стопроцентных момента и даже умудрился промазать с трех метров по воротам.

Казалось бы, с кем из футболистов не случалось?! Однако последствия той роковой ошибки были неожиданно серьезными.

Во-первых, болельщики встретили Калашникова в Москве с камнями.

«Матч транслировали. И в одном из эпизодов я с трех метров пробил выше пустых ворот. На самом деле в том эпизоде под меня подкатывался защитник, и именно он помешал пробить. А в «картинку» защитник не попал, остался за кадром», — рассказывал нападающий.

«У зрителей возникло впечатление, что я умышленно пробил выше ворот. Я бы при желании не смог так ударить! Но вот прихожу к себе домой на Большую Черкизовскую и вижу, как разозленные болельщики кидают в мое окно камнями», — вспоминал Калашников в интервью журналисту Виталию Суворову.

Во-вторых, из-за досадного промаха футболиста забрали в армию. Причем, под горячую руку военкомата попал не только сам Калашников, но и его товарищ Сергей Шавло, который в сезоне-1982 стал лучшим бомбардиром команды.

«Открыто меня ни в чем не обвиняли. Но негласно… Вернулись из Испании в Москву, с базы в Тарасовке всех отпустили в отпуск. Ребята стали разъезжаться кто куда. А за мной утром пришел милицейский патруль. Под окном — машина, меня — под конвой. Заехали за Серегой Шавло. В армию нас забрали. Мне — 25 лет, Шавло через несколько месяцев должно было исполниться 27. Якобы в Московском военном округе поменялся военком, наши дела «раскопали» и призвали».

Как Калашников служил в армии

Футболисты отчаянно пытались спастись — требовали телефон, чтобы позвонить знакомым, и даже планировали обратиться за помощью к Николаю Старостину. Однако их старания оказались тщетными. Военкомат обрубил связь игроков с внешним миром и отправил «провинившихся» спартаковцев служить в Смоленск.

«После того, как мы приняли присягу — это было в декабре — тренер смоленской «Искры» сказал: «До января вы свободны. В январе — такого-то числа, в такое-то время — жду вас в команде». «Искра» была армейской командой, практически филиалом ЦСКА. К нам, кстати, тоже приходили из ЦСКА, предлагали подписаться на звание на 25 лет. Я отказался. У меня уже был один сын, и где-то через шесть месяцев жена должна была родить второго. Так что я в любом случае должен был освободиться через полгода. Но мы дали слово, что отыграем год за «Искру» — и отыграли. Ночевали мы в казармах, но почти все время занимались футболом», — вспоминал Калашников.

РИА Новости

В «Искре» форвард набил неплохую статистику — за 39 матчей он настрелял 13 голов. Поэтому после дембеля Калашникову сделали приглашения сразу два клуба: «Днепр» и «Локомотив».

Хорошенько все обдумав, Александр перешел к «железнодорожникам» и в итоге не прогадал. За четыре года в «Локо» он стал настоящим лидером команды и помог ей в 1987-м вернуться в Высшую лигу СССР.

«Спартак» же после неприятной истории с армией с футболистом так и не объяснился. Однако Калашников все равно не обиделся.

«Обиды у меня не было. Я всегда знал, что не звезда, всего добился тренировками. С Николаем Петровичем мы простились, он сказал: «Если что надо — обращайся», — вспоминал нападающий.

Скачать приложение Sport24 для Android

Скачать приложение Sport24 для iOS

КАЛАШНИКОВА Александра (KALASHNIKOVA Alexandra) | Спортсмены

03.04.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР 30 км КЛ МСТ НФ-
02.04.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР Эстафета (4 чел. х 5 км) 13-
31.03.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР Командный спринт СВ - Полуфинал A 10-
28.03.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР Скиатлон 15 км 54266.41
27. 03.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР Спринт КЛ - Финал 55-
27.03.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧР Спринт КЛ - Квал. 55221.70
02.03.2021

Сыктывкар, Республика Коми

ФКР Командный спринт КЛ - Финал 10-
02.03.2021

Сыктывкар, Республика Коми

ФКР Командный спринт КЛ - Полуфинал B 3-
28.02.2021

Сыктывкар, Республика Коми

ФКР Спринт СВ - Финал 69-
28.02.2021

Сыктывкар, Республика Коми

ФКР Спринт СВ - Квал. 69204.94
27. 02.2021

Сыктывкар, Республика Коми

ФКР 10 км КЛ 65146.43
21.02.2021

Тюмень, Тюменская область

ПР21-23 15 км СВ МСТ 52284.47
18.02.2021

Тюмень, Тюменская область

ПР21-23 Спринт СВ - Финал 67-
18.02.2021

Тюмень, Тюменская область

ПР21-23 Спринт СВ - Квал. 67213.66
17.02.2021

Тюмень, Тюменская область

ПР21-23 10 км КЛ 26105.58
31.01.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧФО 10 км СВ 16157.82
28.01.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧФО Спринт КЛ - Финал 13-
28. 01.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧФО Спринт КЛ - Квал. 11154.62
27.01.2021

Тюмень, Тюменская область

ЧФО 10 км КЛ 16110.64
17.01.2021

Кирово-Чепецк, Кировская область

ЭКР 10 км СВ - Персьют 61245.74
15.01.2021

Кирово-Чепецк, Кировская область

ЭКР 10 км КЛ 64149.95
14.01.2021

Кирово-Чепецк, Кировская область

ЭКР Спринт КЛ - Финал 64-
14.01.2021

Кирово-Чепецк, Кировская область

ЭКР Спринт КЛ - Квал. 64200.63
26. 12.2020

Красногорск, Московская область

ВС 10 км СВ НС-
24.12.2020

Красногорск, Московская область

ВС Спринт КЛ - Финал 28-
24.12.2020

Красногорск, Московская область

ВС Спринт КЛ - Квал. 27145.75
23.12.2020

Красногорск, Московская область

ВС Спринт СВ - Финал 34-
23.12.2020

Красногорск, Московская область

ВС Спринт СВ - Квал. 34160.02
18.12.2020

Тюмень, Тюменская область

ВС21-23 15 км КЛ МСТ 16110.27
16. 12.2020

Тюмень, Тюменская область

ВС21-23 10 км СВ 1395.28
14.12.2020

Тюмень, Тюменская область

ВС21-23 Спринт КЛ - Финал 22-
14.12.2020

Тюмень, Тюменская область

ВС21-23 Спринт КЛ - Квал. 17154.95
02.12.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС 10 км СВ НС-
01.12.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС Спринт КЛ - Финал 14-
01.12.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС Спринт КЛ - Квал. 13146.83
29.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС 10 км КЛ 49119. 08
28.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС Спринт СВ - Финал 58-
28.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ВС Спринт СВ - Квал. 58196.83
22.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ЭКР 5 км СВ НС-
21.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ЭКР Спринт КЛ - Финал НС-
21.11.2020

Вершина Тёи, Республика Хакасия

ЭКР Спринт КЛ - Квал. НС-
16.02.2020

Кононовская, Архангельская область

ПР21-23 15 км КЛ МСТ 2397. 61
13.02.2020

Кононовская, Архангельская область

ПР21-23 Спринт КЛ - Финал 42-
13.02.2020

Кононовская, Архангельская область

ПР21-23 Спринт КЛ - Квал. 42170.19
12.02.2020

Кононовская, Архангельская область

ПР21-23 10 км СВ 48155.11
02.02.2020

Тюмень, Тюменская область

ЧФО 10 км КЛ 19133.50
30.01.2020

Тюмень, Тюменская область

ЧФО Спринт СВ - Финал 14-
30.01.2020

Тюмень, Тюменская область

ЧФО Спринт СВ - Квал. 19141. 88
29.01.2020

Тюмень, Тюменская область

ЧФО 10 км СВ НС-
25.01.2020

Кирово-Чепецк, Кировская область

ВС19-20 15 км СВ МСТ 25204.50

Отдел нумизматики в музее ГИМ – Исторический музей Москвы

Отдел нумизматики Государственного исторического музея хранит свыше 1,7 млн. предметов, в том числе дублеты, монеты русские (свыше 600 тыс.), античные (58 тыс.), восточные (138 тыс.), западные (188 тыс.), бумажные денежные знаки (471 тыс.), памятные медали отечественные (38 тыс.) и иностранные (21 тыс.), ордена, наградные медали и знаки русские и иностранные (свыше 27 тыс.), печати, гербовые и должностные знаки (более 8 тыс.). Основу собрания составляют исключительные по полноте коллекции памятников российского денежного обращения.

Нумизматическое собрание Исторического музея начало складываться в первые годы существования музея из переданных в дар отдельных предметов и небольших коллекций. Вскоре оно стало комплектоваться систематически, часто путем закупок. В 1886–1917 гг. музеем были получены: коллекция русских монет основоположника отечественной нумизматической науки А. Д. Черткова, коллекция П. О. Бурачкова, известного собирателя и исследователя монет Северного Причерноморья, множество предметов из великолепных собраний П. И. Щукина, Г. А. Строганова, А. С. Уварова. Активно участвовала в комплектовании Императорская Археологическая комиссия, благодаря которой в фонды музея поступили многие замечательные клады русских монет. 

С 1895 г. музею стали передаваться обязательные образцы изделий отечественных монетных дворов. Все нумизматическое собрание находилось в ведении главного хранителя музея — А. В. Орешникова, выдающегося специалиста по русской и античной нумизматике. Образование отдела монет, медалей и печатей связано с передачей в 1918–1919 гг. огромной коллекции восточных монет и русских медалей, принадлежавших крупнейшему московскому коллекционеру П. В. Зубову. Возглавил отдел А. В. Орешников. П. В. Зубов же стал руководителем сектора, располагавшегося в его доме на ул. Малой Алексеевской. После кончины П. В. Зубова (в 1921 г.) его нумизматическая коллекция (200 тыс. монет в 14 шкафах) и библиотека (в 30 шкафах) были перевезены в главное здание музея. После образования самостоятельного отдела монет, медалей и печатей его собрание пополнилось за счет коллекций упраздненного Московского Нумизматического общества, Музея Книги, Советской Филателистической Ассоциации, Военно‐исторического музея. Многие интересные предметы попали в отдел из Гохрана. В комплектовании фондов помогал отдел нумизматики Государственного Эрмитажа, в 1930 г. передавший в ГИМ редчайшую русскую монету — рубль никогда не царствовавшего "императора" Константина, отчеканенный в 1825 г. 

Процесс экспроприации частной собственности, начавшийся после Октябрьской революции 1917 г., повлек за собой быстрый рост нумизматического собрания, куда стекались реквизированные коллекции. Многие коллекционеры добровольно передавали собранное ими в музей, надеясь таким образом спасти исторические ценности от разграбления. Систематически в отдел поступали материалы раскопок, монетные клады. В результате к концу 30‐х гг. Исторический музей стал обладателем нумизматического собрания, по своей значимости вполне сопоставимого с собраниями монет, медалей, бон, орденов и наградных знаков Британского музея в Лондоне, Национальной библиотеки в Париже, Берлинского мюнцкабинета (в составе Берлинских музеев), Музея Американского нумизматического общества в Нью-Йорке, Смитсоновского института в Вашингтоне, Государственного Эрмитажа в Санкт‐Петербурге.

Глава Минюста поддержал идею заместить мигрантов заключенными

Министр юстиции Константин Чуйченко одобрил предложение главы ФСИН активнее использовать заключенных вместо трудовых мигрантов, в том числе на крупных стройках.

«Идея о замещении труда мигрантов, мне кажется, правильная, потому что можно создавать исправительные центры на крупных стройках, на крупных объектах, и лица, которые отбывают наказание, обладают квалификацией, чтобы выполнять эту работу», – приводит слова министра «Интерфакс».

В этом сюжете

Он отметил, что создание исправительных центров позволит осужденным заменить лишение свободы на исправительные работы – сейчас порядка 180 000 человек имеют на это право.

«Но на сегодняшний день у нас создано всего лишь 8000 с небольшим этих самых мест. Соответственно, мы в полной мере не можем реализовать право людей на замену лишения свободы на исправительные работы. Это очень социально значимая и интересная вещь, потому что люди тем самым не отрываются от общества, получают зарплату, могут выполнять свои обязательства, которые вытекают из решения судов», – сказал Чуйченко.

Он отметил, что считает интересными крупные инвестиционные проекты, где численность лиц, которые отбывают наказание в виде исправительных работ, будет составлять 1000 и более человек. «На сегодняшний день, к сожалению, мы не можем похвастаться, что такие есть. Численность, как правило, составляет около ста человек», – добавил он.

Руководитель ФСИН Александр Калашников 20 мая предложил использовать труд заключенных вместо мигрантов. Он уточнил, что работающие осужденные будут жить в общежитии или съемном жилье и получать достойную зарплату.  Он подчеркнул, что «это будет не ГУЛАГ». Его поддержали глава СПЧ Валерий Фадеев и омбудсмен Татьяна Москалькова.

Соратник Навального сообщил, что состояние политика почти нормализовалось | Россия и россияне: взгляд из Европы | DW

Соратник оппозиционного политика Алексея Навального - директор Фонда борьбы с коррупцией (ФБК) Иван Жданов - в четверг, 20 мая, сообщил, что состояние здоровья  Навального практически нормализовалось. Тем самым Жданов отреагировал на заявление директора Федеральной службы исполнения наказаний (ФСИН) Александра Калашникова о том, что здоровье оппозиционера восстановилось после голодовки.

"Знаю, что состояние его сейчас более-менее нормальное. Действительно идет процесс восстановления", - сказал Жданов. "Какие там дополнительные данные у главы ФСИН - никак не могу комментировать, потому что мы получаем не то, чтобы много информации", - добавил он.

Жданов: Адвокатов к Навальному пускают

При этом Жданов уточнил, что адвокатов к Навальному пускают. "Большой пробел был только в выходные дни, когда СИЗО и колонии не работают на прием посетителей, по большей части. А так адвокаты стараются ходить практически каждый день", - цитирует директора ФБК радиостанция "Эхо Москвы".

Директор ФСИН Калашников в свою очередь говорил, что "со здоровьем у него (Навального. - Ред.) все более-менее восстановилось нормально".

"Вес его уже 82, по-моему, он дошел. Эти цифры реальные. Он нормально питается, имеет возможность общаться с семьей", - добавил Калашников.

По его утверждению, специальных взысканий оппозиционеру сейчас не объявляется, "он на общих условиях".

Дело Алексея Навального

Алексей Навальный был задержан сразу после возвращения в Россию из Германии, где он проходил лечение и реабилитацию после отравления боевым веществом "Новичок". Суд в Москве 2 февраля заменил ему условный срок по делу "Ив Роше" на реальный. С учетом домашнего ареста оппозиционер должен провести под стражей 2 года и 6 месяцев. Позднее, 15 марта, он был доставлен в ИК-2 в Покрове.

Адвокаты и соратники политика неоднократно указывали на ухудшение состояния его здоровья, невозможность передать рекомендованные лекарства и пытки лишением сна. С 31 марта оппозиционер держал голодовку  в знак протеста против недопуска к нему врачей. Затем, 5 апреля, стало известно о переводе Навального в медико-санитарную часть с сильным кашлем и повышенной температурой. После массовых митингов в его поддержку политик был обследован врачами и объявил о прекращении голодовки.

Смотрите также:

  • Как в России поддержали Навального

    "Свободу Навальному!"

    Акция протеста в Москве

  • Как в России поддержали Навального

    Многотысячная акция солидарности в Москве

    Акция протеста в Москве

  • Как в России поддержали Навального

    В Петербурге полицейские использовали против демонстрантов электрошокеры

    Марш солидарности с Навальным в Санкт-Петербурге

  • Как в России поддержали Навального

    В Москве задержаны 20 человек

    Акция протеста в Москве

  • Как в России поддержали Навального

    Митинги 21 апреля прошли, на удивление, без стычек с силовиками

    Акция протеста в Москве

  • Как в России поддержали Навального

    В городах Германии люди вышли в поддержку Навального

    Акция протеста в Дюссельдорфе

  • Как в России поддержали Навального

    Петербургская полиция ждет "послания Навального"

    Полицейский у Дворцовой площади

  • Как в России поддержали Навального

    Во Владивостоке протестная акция совпала по времени с посланием Путина

    Марш солидарности во Владивостоке

  • Как в России поддержали Навального

    В Хабаровске поддержали Навального и Фургала

    Митингующие и полийцейские в Хабаровске

  • Как в России поддержали Навального

    Свободу Навальному потребовали в Новой Зеландии

    Акция солидарности с Навальным в Новой Зеландии

    Автор: Вадим Шаталин


Александра Калашникова

Старший научный сотрудник в Институте Иоффе
Руководство SPIE: Получение данных, подождите. ..
Участие в SPIE: Получение данных, подождите ...

Контактные данные:

Войдите, чтобы отправить личное сообщение или просмотреть контактную информацию

Волонтерская деятельность SPIE

Получение данных, подождите. ..

Предстоящие презентации

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Публикации

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите. ..

Участие в комитетах конференции

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите...

Инструктор курса

Самые последние | Показать все

Получение данных, подождите. ..

Обзор Авторский указатель

А

Маджид, Худа, Universiti tun Hussein onn Malaysia
Маджид А., Худа, факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia
A MAJID, HUDA, Центр передового опыта UTM-MIMOS, Департамент коммуникационной техники, Факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 UTM Johor Bahru, Джохор.
A Rahim, Hasliza, Исследовательская группа в области биоэлектромагнетизма, Школа компьютерной и коммуникационной инженерии, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP)

а

а рахим, мохамад камаль, Universiti Teknologi Malaysia

А

А. Рахим, Мохамад Камаль, Группа перспективных исследований в области радиочастот и микроволнового излучения, Департамент коммуникационной техники, факультет электротехники, Технологический университет Малайзии, 81310 Джохор-Бару, Джохор, Малайзия
A Rahim, Mohamad Kamal, факультет коммуникационной техники, факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81310 Джохор-Бару, Джохор.
A Rahim, Mohamad Kamal, Universiti Teknologi Malaysia
A RAHIM, MOHAMAD KAMAL, Центр передового опыта UTM-MIMOS, Департамент коммуникационной техники, Факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 UTM Johor Bahru, Джохор.
A RAHIM, MOHAMAD KAMAL BIN, UTM -MIMOS CoE in Telecommunication Communication Engineering, факультет электротехники, University Technology Malaysia, 81310 Johor Bahru, Джохор, Малайзия
A Rahim, Mohamad Kamal, факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia
A Rahim, Mohamad Kamal Bin, 1 Advanced RF и Microwave Research Group Отдел коммуникационной инженерии, Факультет электротехники, University Technology Malaysia, 81310 Johor Bahru, J
A Rahim, Mohamad Kamal, Центр беспроводной связи (WCC), Universiti Teknologi Malaysia (UTM), 81300 Skudai, Johor
А.Хан, Сохаил, Школа физики, Университет святых Малайзии, Пенанг, Малайзия
A. Majid, Huda, Департамент электротехнической технологии, Факультет инженерных технологий, Universiti Tun Hussein Onn Malaysia, Parit Raja, Batu Pahat, Johor
А. Рахим, Х.
A. Rahim, Hasliza, Школа компьютерной и коммуникационной инженерии, Univerisiti Malaysia Perlis (UniMAP), Perlis, Malaysia.
A. RAHIM, MOAMAD KAMAL BIN, Центр передового опыта UTM-MIMOS в области телекоммуникационных технологий, факультет электротехники, Universiti Teknologi Malaysia, 81310 Skudai, Джохор, Малайзия
А.РАХИМ, МОХАМАД КАМАЛ, ОТДЕЛЕНИЕ ИНЖЕНЕРНЫХ КОММУНИКАЦИЙ, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ МАЛАЙЗИИ
A. Rahim, Mohamad Kamal B., Universiti Teknologi Malaysia
A. Rahim, Mohamad Kamal, Universiti Teknologi Malaysia
A. Rahim, Mohamad Kamal, Advanced RF и Microwave Research Group, Департамент коммуникационной техники, факультет электротехники, University Technology Malaysia, 81310 Johor Bahru, Джохор, Малайзия
А. Рахим, Мохамад Камаль
A.A., M. Ezanuddin, Департамент электронных инженерных технологий, Fakulti Teknologi Kejuruteraan, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP), Perlis, Malaysia.
A.Rahim, Hasliza, Исследовательская группа по биоэлектромагнетизму (BioEM), Школа компьютерной и коммуникационной инженерии, Universiti Malaysia Perlis (UniMAP), Kampus Pauh Putra, Perlis, Malaysia

1-25 из 22182 Товаров 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10> >>

Александра Бачорик | Медицинский факультет

Опубликовано 6.05.2021.

Casas RS, Prifti CA, Bachorik AE, Stuckey H, Sobota M, Chuang CH, Weisman CS. Противозачаточные процедуры в клиниках внутренней медицины и в ординатуре: качественное исследование методов реализации, препятствий и фасилитаторов.J Gen Intern Med. 2021, май 06. PMID: 33959883.

Читайте на: PubMedОпубликовано 19.11.2019.

Бачорик А., Немер М.К., Чен Г.Л., Александр CB, Пеллетье С.Р., Пейс Л.Е., Шилдс Х.М. Учебная программа на основе случая со встроенными приложениями для смартфонов улучшает знания врачей-терапевтов о противозачаточной помощи. Adv Med Educ Pract. 2019; 10: 971-977. PMID: 31819696.

Читайте на: PubMedОпубликовано 29.10.2019.

Eberly LA, Richterman A, Beckett AG, Wispelwey B, Marsh RH, Cleveland Manchanda EC, Chang CY, Glynn RJ, Brooks KC, Boxer R, Kakoza R, Голдсмит Дж., Лоскальцо Дж., Морс М., Льюис Э. Ф., Абель С., Адамс А., Аная Дж., Эндрюс Е. Х., Аткинсон Б., Авуту В., Бачорик А., Бадри О., Бейли М., Бэрд К., Бакши С., Балабан Д., Баршоп К. , Баумрин Э, Байоми О, Бимсдерфер Дж., Беккер Н., Берг Д.Д., Берман А.Н., Блюм С.М., Бордман А.П., Боден К., Боначчи Р.А., Браун С., Кэмпбелл К., Дело S, Цетроне Э, Чарроу А., Чианг Д., Кларк D, Cohen AJ, Cooper A, Cordova T, Cuneo CN, de Feria AA, Deffenbacher K, DeFilippis EM, DeGregorio G, Deutsch AJ, Diephuis B, Divakaran S, Dorschner P, Downing N, Drescher C, D'Silva KM, Данбар П., Дуонг Д., Эрп С., Экхард С., Элман С. А., Англия Р., Эверетт К., Федотова Н., Фейнголд-Линк Т., Феррейра М., Фишер Н., Фу П., Фут М., Франко И., Гиллиланд Т., Греб Дж., Греко К., Гревал С., Грин Б., Гроудон М.Э., Гверчио Б., Хан С.К., Хаселфельд Б., Хайду Э.Дж., Гермес З. , Хильдик-Смит Дж., Холкомб З., Холройд К., Хортон Л., Хуанг Дж., Яблонски С., Джейкобс Д., Джайн Н., Джапа С., Джозеф Р., Калашникова М., Калвани Н., Канг Д., Каран А., Кац Дж. Т., Келлнер Д. , Kidia K, Kim JH, Knowles SM, Kolbe L, Kore I, Koullias Y, Kuye I, Lang J, Lawlor M, Lechner MG, Lee K, Lee S, Lee Z, Limaye N, Lin-Beckford S, Lipsyc M , Литтл Дж., Лёвенталь Дж., Логарадж Р., Лопес Д. М., Лорио Д., Лу И, Ма К., Марукиан Н., Матиас В., Майерс Дж. Р., МакКоннелл И., Маклафлин М., Мид С., Мидор С., Мета А., Посланник Е, Михаэлидис С., Мирский Дж., Миттен Э, Мюллер А., Муллур Дж., Мунир А., Мерфи Э, Нагами Э, Натараджан А., Нсахлай М., Нзе С., Оквара Н., Олдс П., Паез Р., Пардо М., Пател С., Петерсен А., Phelan L, Pimenta E, Pipilas D, Plovanich M, Pong D, Powers BW, Rao A, Ramirez Batlle H, Ramsis M, Reichardt A, Reiger S, Rengarajan M, Rico S, Rome BN, Rosales R, Rotenstein L, Roy A, Ройстон С., Розанский Х., Руль М, Райан К.Э., Сальгадо С., Санчес П., Шульте Дж., Секар А., Семенкович Н., Шеннон Э., Шоу Н., Шортен А.Б., Шраунер В., Синнен berg L, Smithy JW, Снайдер G, Sreekrishnan A, Stabenau H, Stavrou E, Stergachis A, Stern R, Stone A, Tabrizi S, Tanyos S, Thomas C, Thun H, Torres-Lockhart K, Tran A, Treasure C, Tsai FD, Tsaur S, Tschirhart E, Tuwatananurak J, Venkateswaran RV, Vishnevetsky A, Wahl L, Wall A, Wallace F, Walsh E, Wang P, Ward HB, Warner LN, Weeks LD, Weiskopf K, Wengrod J, Williams JN , Winkler M, Wong JL, Worster D, Wright A, Wunsch C, Wynter JS, Yarbrough C, Yau WY, Yazdi D, Yeh J, Yialamas MA, Yozamp N, Zambrotta M, Zon R.Выявление расового неравенства в доступе к специализированной стационарной помощи при сердечной недостаточности в академическом медицинском центре. Circ Heart Fail. 2019 11; 12 (11): e006214. PMID: 31658831.

Читайте на: PubMedОпубликовано 01.07.2017.

Гири М., Прифти С., Бачорик А. Обучение в ординатуре методам обратимой контрацепции длительного действия. JAMA Intern Med. 2017 07 01; 177 (7): 1061-1062. PMID: 28672356.

Читайте на: PubMedОпубликовано 8/12/2014

Бачорик А., Фридман Дж., Фокс А., Нуччи А.Т., Горовиц С.Р., Диаз А.Знание и отношение женщин-подростков и молодых взрослых к имплантатам на основе этоногестрела. J Pediatr Adolesc Gynecol. 2015 Авг; 28 (4): 229-33. PMID: 26024942.

Читайте на: PubMed

Большой нетепловой вклад в генерацию пикосекундных импульсов деформации с использованием фотоиндуцированного фазового перехода в VO2

Мы начинаем обсуждение со случая, когда VO 2 находится в изолирующей фазе до оптического возбуждение. Чтобы понять, как PIPT влияет на процесс генерации деформации, мы рассмотрим три механизма, которые, как ожидается, будут способствовать возникновению напряжения при оптическом возбуждении: термоупругий эффект; потенциал деформации; и вклад структурного фазового перехода.Мы исключаем обратный пьезоэлектрический эффект, поскольку кристаллическая структура VO 2 центросимметрична как ниже, так и выше T c . Вклад структурного фазового перехода составляет основной интерес настоящей работы. Как обсуждалось выше, импульсы деформации, вводимые в сапфировую подложку, имеют биполярную форму (рис. 1b), и, таким образом, все вклады в напряжение, создаваемое в VO 2 , можно моделировать с помощью временных ступенчатых функций 1 . Чистое напряжение приводит к изменениям толщины пленки VO 2 Δ a .Это изменение происходит в течение времени ~ a / \ (s _ {{\ mathrm {VO}} _ 2} \), где \ (s _ {{\ mathrm {VO}} _ 2} \) = 9740 м с −1 38 - продольная скорость звука в VO 2 в направлении, перпендикулярном поверхности образца. Для преобразователя толщиной 100 нм время появления деформации составляет ~ 10 пс. Соответствующая амплитуда деформации равна ε 0 = Δ a / a . {\ mathrm {l}} \) в ε 0 типичен для обычных металлов и полупроводников при высоких плотностях возбуждения и связан с передачей энергии от горячих электронов к электронам. решетка в конечном итоге приводит к нагреву до температуры Δ T .{\ mathrm {l}} (J) \, = \, \ alpha _ {{\ mathrm {i}} ({\ mathrm {m}})} \ beta _ {{\ mathrm {i}} ({\ mathrm {m}})} J / C _ {{\ mathrm {i}} ({\ mathrm {m}})}, $$

(1)

, где α i (м) - коэффициент линейного теплового расширения в направлении, перпендикулярном плоскости преобразователя, β i (м) - доля общей поглощенной энергии, которая передается теплу в время ~ 1 пс, а C i (m) - удельная теплоемкость в изолирующей (i) или металлической (m) фазах.Соответствующий нагрев решетки тогда Δ T = β i (м) J / C i (м) . В изолирующей фазе только энергия, превышающая запрещенную зону VO 2 (0,6 эВ), передается решетке за время менее 1 пс, и мы берем β i = 0,42. Для металлической фазы мы предполагаем, что, как и в случае с обычными металлами, полная энергия Дж, активна в сверхбыстром «нагреве» решетки и, соответственно, β m = 1.{\ mathrm {e}} \) до ε 0 происходит от фотовозбужденных электронов и может присутствовать в обеих фазах. В результате оптического возбуждения VO 2 в изолирующей фазе электроны с плотностью n e занимают высокоэнергетические состояния с деформационным потенциалом Ξ i , что приводит к возникновению напряжения 1,18 , 20 . Для оптического возбуждения VO 2 , изначально находящегося в металлической фазе, эффект нагрева электронного газа учитывается с помощью электронного коэффициента Грюнайзена 17,20 .{\ mathrm {e}} (J) \, = \, - {\ it {\ Xi}} _ {{\ mathrm {i}} ({\ mathrm {m}})} \ frac {{n _ {\ mathrm {e}} (J)}} {B} \, = \, - {\ it {\ Xi}} _ {{\ mathrm {i}} ({\ mathrm {m}})} \ frac {\ лямбда} {{Bhc}} J, $$

(2)

, где B - модуль объемной упругости, λ - длина волны возбуждающего света, а h и c - постоянная Планка и скорость света соответственно. Оба вклада описываются уравнениями. (1) и (2) хорошо известны и широко обсуждаются в литературе (обзор см.{{\ mathrm {pt}}} \). Во-вторых, важно, что PIPT, будучи фазовым переходом первого рода, требует энергии. Следовательно, при расчете термоупругого вклада в создаваемую деформацию (уравнение 1) необходимо учитывать, что передача энергии на «нагрев» решетки уменьшается на величину Δ Дж , необходимую для PIPT.

Из более ранних исследований известно, что порог PIPT J T увеличивается с уменьшением начальной температуры образца 34 .Кроме того, общепринято, что металлическая фаза, возникающая в результате PIPT, может быть стабилизирована при длительных задержках в сотни пикосекунд, если энергия лазера, переданная на образец, достаточна как для нагрева образца выше T c , так и преодолеть энергию, необходимую для перехода. Тогда разумно предположить, что в наших экспериментах при Дж = Дж S повышение температуры составляет Δ T = T c - 295 = 28 К.{\ mathrm {l}} \) относится только к фотоиндуцированной металлической фазе. Следовательно, при Дж = Дж S повышение температуры можно найти как Δ T = β м ( Дж с - Δ Дж ) / C м = 28 К, что дает Δ Дж ~ 2.2 × 10 8 Дж м −3 для VO толщиной 100 нм 2. Это значение фактически близко к значению скрытой теплоты 2.35 × 10 8 Дж м −3 , известный для фазового перехода в VO 2 при тепловом равновесии 39 .

Следуя рассмотренным выше аргументам, запишем уравнение, которое описывает зависимость ε 0 от J , включая все вклады. Увеличение доли возбужденного материала, подвергающегося PIPT, от 0 до 1 по мере увеличения поглощенной энергии с Дж T до Дж S связано с распределением центров зародышеобразования в образце в зависимости от энергии, которая была аппроксимируется функцией ошибки Гаусса с центром J 0 = ( J T + J S ) / 2 с параметром дисперсии σ 0 .Из-за различных неоднородностей в VO 2 40,41,42 мы также учитываем гауссовские распределения J T и J S с более узкими дисперсиями σ T и σ S соответственно. Тогда общее выражение для деформации, возникающей при возбуждении VO 2 в изолирующей фазе, принимает форму (подробности см. В дополнительном примечании 5):

$$ {\ varepsilon _0 \ left (J \ right)} \, = \ 0.{\ mathrm {e}} \ left (J \ right). $$

(3)

В расчетах использовались значения Дж T = 0,75 × 10 8 Дж м −3 , J S = 3,16 × 10 8 Дж м −3 , σ 0 = ( J S - J T ) / 4 и σ T = σ S = ( J S - Т ) / 40.{\ mathrm {l}} \) для малых значений J < J T , что указывает на ненулевой механизм потенциала деформации для генерации деформации, не связанный с PIPT. Синей пунктирной линией показана зависимость ε 0 ( J ), которая включает вклад электронов, принимающий Ξ i = −4 эВ для всех J вместе с термоупругим. На рис. 3а видно, что эта синяя линия хорошо соответствует экспериментальным данным для низких плотностей возбуждения, ниже порога PIPT J T .{{\ mathrm {pt}}} \) в пленке толщиной 100 нм при J = J S примерно совпадает с суммой теплового и электронного вкладов и в пять раз превышает вклад термоупругого эффекта.

Далее мы сравним деформацию, возникающую в изоляционном материале VO 2 (рис. 3a), с деформацией, наблюдаемой в металлической фазе (рис. 3b). ε 0 ( J ) в этой ситуации демонстрирует линейную зависимость, которая может быть хорошо описана комбинированными термоупругими и электронными вкладами с потенциалом деформации, установленным как Ξ m = −8 эВ.

На рис. {\ mathrm {e}} (J) \), связанных с PIPT.В результате при Дж = Дж S фотогенерируемая деформация достигает ~ 0,8% как в изоляционных, так и в металлических преобразователях VO 2 , в то время как расчетное повышение температуры Δ T из-за оптического возбуждения составляет три для изоляционного материала VO 2 в разы ниже, чем для его металлической фазы.

Для пленки VO 2 толщиной 35 нм в обеих исходных фазах абсолютные значения генерируемой деформации значительно ниже, чем полученные в более толстой пленке (рис.{{\ mathrm {pt}}} \) в этом случае значительно ниже. Подавление вклада PIPT в фотогенерируемую деформацию в более тонкой пленке VO 2 можно приписать большим статическим напряжениям, присутствующим в этом случае из-за несоответствия решеток между VO 2 и r-cut Al 2 O 3 43 , что также приводит к значительному снижению температуры перехода (см. Дополнительное примечание 2). Несоответствие наиболее важно в атомных слоях VO 2 , расположенных вблизи границы раздела VO 2 / сапфир, и возникающее в результате напряжение релаксирует из-за дислокаций несоответствия только для пленок толщиной более ~ 80 нм 44 , для которых решетка и параметры упругости становятся ближе к параметрам объемного материала.{{\ mathrm {pt}}} \), происходящий из PIPT, который, по-видимому, очень выражен в VO 2 толщиной 100 нм и несколько подавлен в более тонкой, 35 нм, пленке с высокой деформацией несоответствия. Этот вклад добавляет к обычным вкладам термоупругого и деформационного потенциала и присутствует только в том случае, если VO 2 возбуждается в его изолирующей фазе с помощью оптической накачки при плотности энергии, превышающей порог PIPT.

Эксперименты показывают, что вклад PIPT в импульс деформации положительный, т.е.{{\ mathrm {pt}}} \, <\, 0 \)) в металлической фазе, чем в изолирующей фазе на 1% в объеме 35 или на 0,4% в пленке 120 нм 36 и, соответственно, Эксперименты показывают, что во время PIPT решетка немонотонно достигает конечного сжатого состояния. Быстрое начальное расширение тонкой пленки VO 2 вдоль оси и M1 до 0,4% из-за PIPT также наблюдалось ранее с помощью сверхбыстрой дифракции рентгеновских лучей 45 . Таким образом, мы делаем вывод, что после PIPT пленка VO 2 расширяется вдоль оси рутила за короткое время ~ a / s , а затем медленно сжимается.Такое немонотонное поведение наблюдалось ранее в некоторых экспериментах по дифракции электронов 46,47,48,49,50,51 .

В заключение, мы исследовали генерацию пикосекундных импульсов деформации в фотоупругих преобразователях VO 2 . Существует большой вклад в генерируемый импульс деформации от реконструкции решетки VO 2 во время сверхбыстрой PIPT, когда VO 2 оптически возбуждается, будучи первоначально в изолирующей фазе. Этот вклад имеет значение ~ 0.45% в преобразователе VO 2 толщиной 100 нм и отсутствует, когда та же пленка возбуждается в металлической фазе, то есть при повышенной температуре T > T c . Решающий результат состоит в том, что вклад PIPT не сопровождается повышением температуры. Суммарное влияние PIPT и потенциала деформации на оптически создаваемую деформацию превышает термоупругий вклад на порядок и позволяет генерировать амплитуду деформации ~ 0,8% для плотности возбуждения ~ 8 мДж · см -2 с повышением температуры всего до 28 К.

Проектирование наноструктур VO 2 с острым PIPT, т. Е. С пороговой плотностью потока и плотностью насыщения, близкими друг к другу, W T W S 52 , позволит генерировать деформации с незначительным нагревом решетки, когда работая при T T c 49 , поскольку энергия в этом случае полностью расходуется на возбуждение PIPT. Это также позволит точно настроить параметры генерируемых импульсов деформации путем включения или выключения PIPT с использованием различных средств, таких как изменение плотности энергии возбуждения в узком диапазоне, приложение напряжения 53 или деформации 42,54,55,56 .Использование преобразователей, выращенных на сапфире или других подложках, ориентированных по-разному, может позволить контролировать направление, в котором происходит генерация наибольшей нетепловой деформации, что открывает путь для дальнейшей оптимизации. Этот и сложный путь, по которому решетка проходит после фотовозбуждения 46,50 , предполагает, что преобразователи VO 2 с разной ориентацией, выращенные на различных подложках, могут позволить генерировать не только импульсы деформации сжатия-растяжения, но также импульсы сдвига.Кроме того, прогресс в выращивании высококачественных пленок VO 2 57,58 позволяет настраивать их температуру перехода и даже стабилизировать различные фазы в условиях окружающей среды, что в дальнейшем может быть использовано для генерирования импульсов деформации с различными параметрами, индуцированного PIPT. . Внедрение преобразователей VO 2 , выращенных на различных подложках, обеспечивающих оптимальные условия для генерации нетепловой деформации, в современные пикосекундные акустические исследования нанообъектов целесообразно, так как нет жестких требований к привязке последних к конкретной подложке.

ИТМО: будущее жестких дисков: горячие биты и лазерная запись - Индия Образование | Последние новости образования | Глобальные образовательные новости

Заведующая лабораторией физики ферроиков Института Иоффе, доцент ИТМО Александра Калашникова выступила с публичным докладом в Открытом лектории на острове Новая Голландия. Через час она объяснила, почему мы все еще используем магнитные жесткие диски и будем продолжать это делать в ближайшие десятилетия.

В нынешнюю эпоху цифровых технологий обычные пользователи с трудом могут оценить объем информации, которую они производят и потребляют ежедневно - сотни миллиардов электронных писем, десятки часов видео в минуту и ​​сотни тысяч поисковых запросов на каждую минуту. второй.Быстро развивающиеся технологии облачных хранилищ заставляют нас задуматься о том, чтобы оставить в прошлом любые физические устройства хранения с магнитными жесткими дисками (HDD), постепенно теряющими свою долю рынка. В последние годы их часто заменяют твердотельными накопителями (SSD). Однако это не означает, что жесткие диски устаревают.

«Облачные сервисы фактически основаны на принципах магнитного хранилища, которое остается наиболее экономичным и энергоэффективным в своем роде», - отмечает Александра Калашникова.«Вот почему это требует дальнейших исследований. Согласно последним прогнозам, к 2026 году на рынке появятся жесткие диски емкостью более 50 ТБ ».

Из чего сделано магнитное хранилище и как оно работает
Обратимся к физике за ответами. Он «магнитный», потому что для его функционирования требуется магнитное поле. Это поле может быть создано катушкой, то есть несколькими завитками проводника, по которым проходит электрический ток. Другой способ создать поле - использовать постоянные магниты.

Природу этого явления можно было объяснить только с развитием квантовой механики в 20 веке. Электрон, вращающийся вокруг ядра атома, создает крошечный вихрь тока, как в катушке, и его спин становится источником магнитного поля. Когда атомы объединяются в группы, они могут вести себя по-разному.

Исследования магнитного накопителя особенно интересны в отношении особого типа материала, называемого ферромагнетиком. В этих материалах частицы расположены очень близко друг к другу и организованы определенным образом.Они начинают «чувствовать» друг друга - и это служит основой для их взаимодействия. В результате магнитные моменты этих частиц выравниваются параллельно друг другу. Их сумму или магнетизм можно измерить в реальном эксперименте. В ферромагнетиках оно будет равняться определенному числу, а в антиферромагнетиках - нулю.

Магнитные биты
Магнитная анизотропия ферромагнетиков позволяет хранить информацию в обычной последовательности нулей и единиц. Это потому, что магнитный момент может быть направлен только вверх (1) или вниз (0).

«Магнитными моментами можно управлять с помощью внешнего магнитного поля: они будут ориентироваться в соответствии с полем и сохранят свое направление после его уменьшения», - комментирует Александра.

А так записывается информация на магнитный диск. Затем его необходимо считывать из области, площадь которой измеряется в нанометрах. Огромным шагом в этой области стало открытие гигантского магнитосопротивления. Оказалось, что ориентация магнетизма соседних областей по отношению друг к другу определяет, будет ли ток в цепи: если они параллельны друг другу, сопротивление низкое и есть ток, а если они обращены к разным направления, это наоборот.

Три проблемы магнитного хранения
Когда мы храним информацию, нам нужно, чтобы она оставалась нетронутой в течение длительных периодов времени. Математические оценки стабильности магнитного хранилища предполагают, что она сохранится около 1000 лет. Это много. Но если мы сделаем биты всего в два раза меньше, информация будет храниться всего две миллисекунды. Попытка приспособить эту плотность битов путем усиления магнитного поля не работает из-за снижения энергоэффективности.Но и исследователи, и обычные пользователи хотят иметь все: емкость, стабильность и энергоэффективность. Как мы можем этого добиться? Используя свет!

Это связано с тем, что при более высоких температурах ферромагнетики становятся мягче, что может быть полезно для их использования. Если мы нагреем небольшой участок материала лазерным импульсом и в то же время приложим внешнее магнитное поле, мы выполним магнитную запись с подогревом (HAMR). Этот метод требует меньшего магнитного поля, что означает, что как энергоэффективность, так и емкость накопителя улучшатся.

Быстрее, выше, сильнее
Физики тоже не лишены спортивного интереса. Время, необходимое для поворота магнитного момента с помощью HAMR, составляет около 1 наносекунды, что очень медленно. Еще в 2004 году исследователи предсказали, что будет невозможно сделать это быстрее, чем 2 пикосекунды, что представляло собой лишь новую проблему, которую нужно было преодолеть!

«Вот как это работает в науке: как только у нас появляется веское утверждение, что что-то невозможно, многие люди стремятся доказать, что это неверно», - смеется Александра.«Это именно то, что мы пытаемся сделать».

Проблема решается с помощью ультракоротких фемтосекундных лазерных импульсов. Это в миллион раз быстрее, чем в обычном HAMR, который работает со скоростью наносекунды. Ряд экспериментов продемонстрировал, что магнитные среды могут изменять свойства света и наоборот. В результате такой своеобразной синергии оптики и магнетизма мы можем наблюдать интересный эффект: магнитную запись с подогревом без магнитного поля. Этот метод учитывает все вопросы хранения информации, а также является сверхбыстрым.

Превзойти пределы
Этот проект в настоящее время является более фундаментальным, чем прикладным, и есть еще несколько сложных, но интересных вопросов, которые необходимо решить, прежде чем исследователи смогут перейти к реализации нового метода. Например, необходимо выйти за дифракционный предел, чтобы обеспечить достаточно высокую битовую плотность. Хотя эта конкретная проблема уже может быть решена благодаря достижениям в фотонике, проблема превращения ферромагнетиков в антиферромагнетики еще предстоит преодолеть.

Проект B9 - AG Cinchetti

Расположение и подход

Кампус TU Dortmund University расположен недалеко от перекрестка между штатами Dortmund West, где Sauerlandlinie A 45 (Франкфурт-Дортмунд) пересекает Ruhrschnellweg B 1 / A 40.Лучший съезд с автомагистрали A 45 - «Дортмунд-Эйхлингхофен» (ближе к Campus Süd), а с B 1 / A 40 «Dortmund-Dorstfeld» (ближе к Campus Nord). У обоих выходов есть указатели на университет. Кроме того, есть новый съезд, прежде чем вы пройдете по мосту B 1, ведущему в Дортмунд.

Чтобы добраться от Campus Nord до Campus Süd на машине, необходимо пересечь улицу Vogelpothsweg / Baroper Straße. Мы рекомендуем оставить машину на одной из парковок в Campus Nord и воспользоваться H-Bahn (подвесной монорельсовой дорогой), которая удобно соединяет два кампуса.

TU Dortmund University имеет собственный вокзал («Dortmund Universität»). Оттуда пригородные поезда (S-Bahn) отправляются на главный вокзал Дортмунда (Dortmund Hauptbahnhof) и главный вокзал Дюссельдорфа через вокзал Düsseldorf Airport (сядьте на S-Bahn № 1, который отправляется каждые 20 или 30 минут).До университета легко добраться из Бохума, Эссена, Мюльхайма-ан-дер-Рура и Дуйсбурга.

Вы также можете сесть на автобус или поезд метро из Дортмунда до университета: от главного вокзала Дортмунда вы можете сесть на любой поезд, идущий до станции Stadtgarten, обычно это линии U41, U45, U 47 и U49. На "Stadtgarten" вы меняете поезд и садитесь на линию U42 в направлении "Hombruch". Ищите станцию ​​"An der Palmweide". С автобусной остановки через дорогу автобусы, идущие до TU Dortmund University, отправляются каждые десять минут (445, 447 и 462).Другой вариант - сесть на метро по маршрутам U41, U45, U47 и U49 от главного вокзала Дортмунда до остановки Dortmund Kampstraße. Оттуда по U43 или U44 до остановки Dortmund Wittener Straße. Перейдите на автобус 447 и сойдите на остановке Dortmund Universität S.

AirportExpress - это быстрый и удобный транспорт из аэропорта Дортмунда (DTM) до центрального вокзала Дортмунда, который доставит вас туда чуть более чем за 20 минут.От центрального вокзала Дортмунда вы можете добраться до университетского городка по междугородней железной дороге (S-Bahn). Более широкий диапазон международных рейсов предлагается в аэропорту Дюссельдорфа (DUS), который находится примерно в 60 километрах, и до него можно напрямую добраться по городской железной дороге от университетской станции.

H-Bahn - одна из визитных карточек TU Dortmund University.На Campus Nord есть две станции. Один («Dortmund Universität S») расположен прямо на остановке пригородного поезда, который соединяет университет напрямую с городом Дортмунд и остальной частью Рурской области. Также с этой станции можно добраться до «Technologiepark» и (через Campus Süd) Eichlinghofen. Другая станция расположена в обеденном зале Campus Nord и обеспечивает прямое сообщение с Campus Süd каждые пять минут.

Объекты TU Dortmund University распределены по двум кампусам: большему Северному кампусу и меньшему Южному кампусу.Кроме того, некоторые территории университета расположены в прилегающем «Технологипарке».

Карта сайта Технического университета Дортмунда (Вторая страница на английском языке).

Интерактивная карта

Объекты TU Dortmund University распределены по двум кампусам: большему Северному кампусу и меньшему Южному кампусу.Кроме того, некоторые территории университета расположены в прилегающем «Технологипарке».

Zum Lageplan

Технология записи на полностью оптический жесткий диск - давайте обсудим, что сдерживает его развитие

В центрах обработки данных наиболее распространенным способом хранения больших объемов данных являются HDD - магнитные диски, на которые данные записываются с помощью коротких слабых импульсов магнитного поля. Такие системы хранения дешевле, чем твердотельные системы хранения, и имеют большую емкость.

В то же время исследователи и инженеры продолжают поиск решений проблем энергоэффективности и скорости записи данных, возможно, используя альтернативные воздействия - например, ток, или даже свет. Перспективная технология, которая может привести к прорыву в создании новых устройств, плюс - для увеличения производительности магнитной записи, это использование лазерных импульсов - опто-магнитная запись.

Исследования в этой области ведутся уже более 20 лет, но вопрос о практическом применении такой записи все еще остается открытым.О причинах этого физик из Университета ИТМО и П.И. А.Ф. Иоффе Александра Калашникова с коллегами из мировых университетов выступила в журнале Physics Reports.

Фото: Денни Мюллер / Unsplash.com

Рождение концепции

В 1996 году в журнале Physical Review Letters была опубликована научная работа французских исследователей, которая показала, что фемтосекундный лазер способен очень быстро - за доли пикосекунды - обратимо разрушать намагниченность в ферромагнетиках, не повреждая материал.Дальнейшие исследования растянулись более чем на десять лет. Физики пытались выяснить, можно ли использовать это явление для хранения данных - не только для разрушения намагниченности, но и для ее переключения.

Первый успешный эксперимент в этом направлении был проведен в 2007 году - об этом был материал на Хабре. Группе физиков из Университета Неймегена в Нидерландах удалось переключить намагниченность в тонкой пленке металлического ферримагнетика, быстро нагревая ее фемтосекундным лазером - длительность вспышки составила всего 40 фемтосекунд.

В данном случае магнитное поле не использовалось. Этот процесс получил название полностью оптического переключения намагниченности и позволил увеличить скорость записи данных как минимум на порядок. Этот эксперимент привел к возникновению множества вопросов, начиная от фундаментальных («как это работает» - споры продолжаются!), Является ли это единственным способом оптического переключения намагниченности (ответ отрицательный, и мы говорим об этом в обзор). Также возникло много практических вопросов о предельной плотности такой записи, об ограничениях на типы материалов для оптического переключения намагниченности, о требованиях к самим лазерным импульсам.

Проблемы плотности

По словам Александра Калашникова, лазерный луч можно легко сфокусировать в пятно с длиной волны около 500 нм, но этого недостаточно для записи данных на жесткий диск, где площадь хранения редко превышает 10 нм: «Это Проблема может быть преодолена с помощью таких областей знаний, как фотоника и плазмоника. Есть возможность фокусировать свет в небольших размерах. В технологии HAMR уже реализована сильная фокусировка лазерного излучения.«

На фото: Александра Калашникова

Technology HAMR - Heat-Assisted Magnetic Recording - объединяет концепции магнитной и лазерной записи. Во время записи поверхность магнитного диска на короткое время нагревается с помощью светового луча, уменьшая коэрцитивную силу магнитного материала , что позволяет переключать намагниченность с помощью относительно слабого импульса поля. Когда материал остывает, область с переключением намагниченности становится очень стабильной. Это позволяет уменьшить размер области, в которой хранятся биты данных, без риска их потери из-за случайных колебаний.

Первые такие устройства уже выходят на рынок - два накопителя в этом году обещают выпустить Seagate . Такие продукты могут стать переходным этапом перед появлением полноценных лазерных HDD.

Если откажетесь от магнитных материалов

Долгое время наряду с технологиями магнитной записи развивались сегнетоэлектрические записи. Сегнетоэлектрик - это материал, в котором спонтанная электрическая поляризация существует в отсутствие внешнего магнитного поля.Его направление можно изменить, например, приложив электрическое поле. В этом сегнетоэлектрики очень похожи на магнитные материалы.

Одной из проблем сегнетоэлектрической памяти, которой нет в магнитной памяти, является усталость. Многократное переключение электрической поляризации может разрушить сегнетоэлектрик и уменьшить величину электрической поляризации. Еще одна сложность - это необходимость создания специальных контактов для изменения (записи) и считывания состояния электрической поляризации.

Могут ли лазерные импульсы решить некоторые из этих проблем? Поскольку сегнетоэлектрик во многом похож на магнитный материал, можем ли мы реализовать полностью оптическое переключение поляризации сегнетоэлектрика с помощью лазерного импульса?

Оказалось, что это не так просто. Аналогии между магнитными и сегнетоэлектрическими материалами очень быстро заканчиваются, как только мы начинаем понимать взаимодействие лазерного излучения с этими материалами и рассматривать, как намагниченность и поляризация сегнетоэлектрика меняются под действием лазера.Первое сообщение о кратковременном переключении сегнетоэлектрика лазерным импульсом в эксперименте появилось только в 2017 году, спустя 10 лет после переключения магнитного материала.

Александра Калашникова говорит, что решением проблемы оптической записи информации в будущем может стать мультиферроик, сочетающий свойства магнитного и сегнетоэлектрического материала. Однако работа в этом направлении только начинается.

Теперь у инженеров и ученых есть выбор направлений - новые материалы, лазерные технологии, фундаментальные принципы оптического переключения магнитных и других материалов.Студенты и преподаватели Университета ИТМО участвуют в разработках в этих областях. Несколько лет назад они предложили и проанализировали теоретическую возможность увеличения плотности записи на ферромагнетике в 10–15 раз. В будущем технология повысит эффективность хранения данных на жестких дисках и позволит создавать новые транзисторы, логические элементы и ячейки памяти.

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *